中国南车新闻发言人向记者透露：“目前国际上主流的IGBT芯片生产线为6英寸，公司产业化基地承建的是我国首条8英寸IGBT芯片生产线。该项目由公司下属的湖南株洲所实施。项目在2014年投产后，年产值将超过25亿元。”

　　IGBT全称为新型功率半导体器件——绝缘栅双极型晶体管。中国南车IGBT产业化基地占地为160亩。基地投产后，将具备年产12万片8英寸IGBT芯片，以及100万只大功率IGBT器件的能力。由此，中国南车将成为国内掌握IGBT芯片设计—芯片制造—模块封装—系统应用完整产业链的企业。

　　中国南车IGBT产业化基地除建设一条8英寸IGBT芯片生产线外，还将建设9条IGBT模块生产线。主要应用于轨道交通、电动汽车、风力发电、太阳能发电、智能电网等多个产业。

　　“十一五”期间，中国南车在国内启动了“高压IGBT元件研制”，先后获得国家多项科研经费支持。2009年，公司在株洲所建立了国内第一条小批量大功率IGBT模块封装线。2010年，公司在海外成立了功率半导体研发中心，负责承担电力电子器件中长期战略项目和重大项目的技术跟踪、研究和开发。